13. Two-photon-absorption-based silicon nanowire photodetectors
一种基于双光子吸收的硅纳米线光电探测器
Yaping Dan, Hamidreza Siampour
PCT publication PCT/CN2015/098584, 2015-12-24
国际专利授权号：WO2017/036011A1


12. 一种探测纳米线表面俘获态密度的方法及装置
但亚平
中国专利局，申请号201510028622.X
（上海交通大学）

11. 一种基于垂直纳米线的LED超平行光源的制备方法
但亚平
中国专利局， 申请号201410110773.5
（上海交通大学）

10. Multispectral Imaging Using Polydimethylsiloxane (PDMS) Embedded Vertical Silicon Nanowires
H. Park, Y. Dan, K. Seo, and K. B. Crozier
U.S. Provisional Patent Application No. US20150214261A1, filed July 30, 2015
(Harvard University and Zena Technologies, Inc)

9. Multispectral Imaging Using Silicon Nanowires
H. Park, Y. Dan, K. Seo, and K. B. Crozier
U.S. Provisional Patent Application No. US20150214261A1, filed July 30, 2015
(Harvard University and Zena Technologies, Inc)

8. Light Absorption and Filtering Properties of Vertically Oriented Semiconductor Nano Wires
K. Seo, M. Wober, P. Steinvurzel, E. Schonbrun, Y. Dan, T. Ellenbogen, and K. B. Crozier
U. S. Patent No: 2012094047, 2015-04-07
Publication date: 2012/7/13
(Harvard University, and Zena Technologies, Inc)

7. Nanowire Core-Shell Light Pipes
Y. Dan, M. Wober, and K. B. Crozier
U. S. Patent No.: US2011/0115041 A1, 2011-05-19
International Application No: PCT/US2010/057227
(Harvard University, and Zena Technolgoies, Inc)

6. Atomiccally Precise Nanoribbons Formed by Catalytic Etching with Nanoparticles
S. Delta, D. R. Strachan, S. M. Khamis, A. T. Johnson,and Y. Dan
US Patent: US20120034707A1, 2012-02-09
International Publication No.: WO 2009/149005 A1
(University of Pennsylvania)

5. 射频低噪放大器
马成炎，但亚平
中国专利号： 03234917.3, 2004
(深圳源核微电子技术有限公司)

4. 集成限幅放大器
马成炎，但亚平
中国专利号：03234919.X, 2004
(深圳源核微电子技术有限公司)

3. 室温电致发光硅基法布里-珀罗微腔器件
岳瑞峰，姚永昭，但亚平，刘理天
中国专利号：200410071151.2, 2005
(清华大学)

2. 室温发光硅基法布里-珀罗微腔器件
岳瑞峰，王燕，但亚平，刘理天
中国专利号：02232816.5, 2002
(清华大学)

1. 室温发光硅基法布里-珀罗微腔器件
岳瑞峰，王燕，但亚平，刘理天，姚永昭
中国专利号：02117423.7, 2002
(清华大学)